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杭州高裕電子科技股份有限公司

產(chǎn)品展示

Product Demonstration

Product Demonstration

產(chǎn)品展示

IGBT模塊高溫反偏老化測試系統(同時(shí)上下橋上電測試,電子開(kāi)關(guān)保護)

符合標準:

IEC60749 、IEC60747、AQG324、AEC-Q101、JEDEC等標準。

適用范圍:

適用于各種封裝形式的IGBT模塊、二極管模塊、整流橋模塊、晶閘管模塊進(jìn)行高溫反偏試驗(HTRB)。

技術(shù)特點(diǎn):

可實(shí)時(shí)監測每個(gè)的結溫TJ。

可實(shí)現上下橋同時(shí)加電測試。

每個(gè)回路漏電流超上限電子開(kāi)關(guān)斷電保護。

實(shí)時(shí)監測每個(gè)試驗器件的漏電流。

全過(guò)程試驗數據保存于硬盤(pán)中,可輸出Excel試驗報表和繪制全過(guò)程漏電流IR變化曲線(xiàn)。


技術(shù)性能

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